您的位置:应用中心
半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术,在半导体材料掺杂,金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用,在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的手段。
用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去,离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能,或获得某些新的优异性能。
安泰天龙离子注入机用钨钼产品具有稳定的高纯度,良好的力学性能,以保证适合加工形状复杂的弧室零部件。
高纯度钨钼弧室是半导体芯片良率的基本保障,安泰天龙的高性能离子注入Source Head钨钼部件又极大降低了机台维护频率,保证了客户产能,是客户首选产品。
我公司生产的如下材料可广泛应用于半导体离子注入部件:
- 其他定制钨制品
拥有完整的进口精密加工设备,以自产的钨、钼、钽、铌材料做为品质基础,结合国外先进技术,能够按客户的要求设计、生产加工高精度高品质产品。
名称 |
密度 g/cm3 |
高温抗拉强度 Mpa(1000℃) |
延伸率 % |
HV30 |
ASTM B760-2007(T=4.75) |
≥19.1 |
≥380 |
≥1 |
- |
安泰W (T=4) |
19.2 |
450 |
2 |
400 |
主要化学成分% |
W |
Fe |
Ni |
Si |
安泰W (T=4) |
99.999 |
0.002 |
0.0003 |
0.0009 |
安泰天龙有完整的材料加工设备,可以向用户提供钨、钼、钽、铌及其合金等难熔金属的板、片、棒、杆。 能够提供大束流、中束流、高能离子源用钨、钼制品;可以提供钨高能离子源部件、钨或钼的大束流离子注入部件,钼中束流离子源部件。目前产品已经提供给台湾、美国等知名厂商。